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AlN(氮化鋁)含量對復合材料體積電阻率和表面電阻率的影響?

更新時間:2026-01-16      點擊次數:207

具體影響分析

1.電阻率保持高水平

AlN體積含量從0%增加至46%的高比例時,復合材料的體積電阻率始終維持在101?Ω·m的數量級,表面電阻率維持在101?Ω的數量級。

這兩個數值是典型高性能絕緣材料的標志,表明復合材料在電氣上仍然是近乎完mei的絕緣體。

2.影響機制解釋(為什么變化不大?)

AlN自身的本征特性是關鍵:AlN不僅是一種高熱導率的陶瓷,其本身也具有很高的電阻率(通常>101?Ω·m)。因此,當它作為填料分散在環氧樹脂基體中時,它本身并不會引入導電通路或降低體系的整體絕緣性。

絕緣-絕緣"復合體系:該復合材料屬于高絕緣性基體(環氧樹脂)+高絕緣性填料(AlN"的復合模式。兩者的復合沒有改變體系的絕緣本質。

填料的分散狀態:在所述含量范圍內(≤46%),AlN顆粒可能被絕緣的環氧樹脂基體有效包覆和隔離,沒有形成連續的、可供電子直接傳輸的導電網絡或隧道電流通路。

與介電性能變化的對比

體積/表面電阻率基本保持不變(保持高絕緣性)1.AlN自身電阻率高;2.未形成導電通路。

介電常數(εr)顯著升高后趨于平緩1.AlN的介電常數(~15)高于環氧樹脂;2.界面極化增強。

介電損耗(tanδ)下降AlN的介電損耗(0.0018)低于環氧樹脂,拉低了整體損耗。

重要區分:

電阻率:反映材料阻止電流通過(導電性)的能力,主要由材料中的可遷移自由電荷數量決定。AlN不提供自由電荷,故不影響電阻率。

介電常數:反映材料在電場下存儲電荷(極化)的能力,與束縛電荷在電場中的位移有關。高介電常數的AlN和其引入的界面都能增強極化,故使介電常數升高。


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